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NXP Semiconductors
10
PESDxS2UQ series
Double ESD protection diodes in SOT663 package
001aaa729
I RM
I RM(25 ° C)
(1)
(2)
1
10 ? 1
? 100
? 50
0
50
100
T j ( ° C)
150
(1) PESD3V3S2UQ; V RWM = 3.3 V
(2) PESD5V0S2UQ; V RWM = 5 V
I R is less than 15 nA at 150 ° C for:
PESD12VS2UQ; V RWM = 12 V
PESD15VS2UQ; V RWM = 15 V
PESD24VS2UQ; V RWM = 24 V
Fig 7.
Relative variation of reverse leakage current as a function of junction temperature; typical values
PESDXS2UQ_SER_4
? NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 04 — 26 January 2010
7 of 13
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